型号:

DMN65D8LW-7

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Diodes Inc描述:MOSFET N CH 60V 300MA SOT323
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
DMN65D8LW-7 PDF
标准包装 3,000
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 300mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 3 欧姆 @ 115mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 0.87nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 22pF @ 25V
功率 - 最大 350mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-70,SOT-323
供应商设备封装 SOT-323
包装 带卷 (TR)
其它名称 DMN65D8LW-7DITR
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